高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話 歡迎咨詢 蘇州致晟光電科技供應

致晟光電在 Thermal EMMI 技術的基礎上，融合了自主研發的 實時瞬態鎖相紅外熱分析技術（RTTLIT），提升了弱信號檢測能力。傳統 Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態缺陷時，容易受到環境熱噪聲干擾，而鎖相技術可以在特定頻率下同步提取信號，將信噪比提升數倍，從而捕捉到更細微的發熱變化。這種技術組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測優勢，還大幅拓寬了其應用場景——從傳統的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗證。通過這一技術，致晟光電能夠為客戶提供更好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數，降低分析成本，并提高產品開發迭代效率。熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩定性與熱性能 。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

對于3D封裝產品，傳統的失效點定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進行異常排查與確認，不僅耗時長、人工成本高，還存在對樣品造成不可逆損傷的風險。借助Thermal EMMI設備，可通過檢測失效點熱輻射在傳導過程中的相位差，推算出失效點在3D封裝結構中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點所在的芯片層級，實現高效、精細的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點與相位的關系為該技術提供了直觀的參考依據。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話熱紅外顯微鏡對電子元件進行無損熱檢測，保障元件完整性 。

在半導體 IC 裸芯片研究與檢測中，熱紅外顯微鏡是一項重要工具。裸芯片結構緊湊、集成度高，即便出現輕微熱異常，也可能影響性能甚至導致失效，因此有效的熱檢測十分必要。熱紅外顯微鏡以非接觸方式完成熱分布成像，能夠直觀呈現芯片在運行中的溫度變化。通過對局部熱點的識別，可發現電路設計缺陷、電流集中或器件老化等問題，幫助工程師在早期階段進行調整與優化。此外，該設備還能測量半導體結點的結溫，結溫水平直接關系到器件的穩定性與壽命。依托較高分辨率的成像能力，熱紅外顯微鏡既能提供結溫的準確數據，也為散熱方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依據。

Thermal EMMI的制冷技術不斷升級，提升了探測器的靈敏度。探測器的噪聲水平與其工作溫度密切相關，溫度越低，噪聲越小，檢測靈敏度越高。早期的 thermal emmi 多采用液氮制冷，雖能降低溫度，但操作繁瑣且成本較高。如今，斯特林制冷、脈沖管制冷等新型制冷技術的應用，使探測器可穩定工作在更低溫度，且無需頻繁添加制冷劑，操作更便捷。例如，采用 深制冷技術的探測器，能有效降低暗電流噪聲，大幅提升對微弱光信號和熱信號的檢測能力，使 thermal emmi 能捕捉到更細微的缺陷信號。熱紅外顯微鏡可模擬器件實際工作溫度測試，為產品性能評估提供真實有效數據。

熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優勢在于其非接觸式檢測能力，相較于傳統接觸式方法具有優勢。傳統接觸式檢測通常需要使用探針直接接觸被測設備，這不僅可能因機械壓力導致芯片焊點形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對敏感半導體器件造成破壞，從而引入額外風險和測量誤差。對于精密電子元件和高精度設備而言，這種潛在損傷可能嚴重影響檢測結果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過捕捉設備在運行過程中釋放的熱輻射信號，實現完全非侵入式的檢測。這不僅能夠在設備正常工作狀態下獲取實時熱分布數據，還有效避免了接觸帶來的干擾或損傷，提高了整個檢測流程的**性和穩定性。工程師可以依靠這些高保真數據進行精確故障診斷、性能評估以及早期異常識別，從而優化研發與生產流程。非接觸式的技術優勢，使熱紅外顯微鏡成為半導體芯片、微電子系統及精密印制電路板等電子組件檢測的理想選擇，為現代電子產業提供了更**、高效和可靠的分析手段。 檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導致的瞬態過熱。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

熱紅外顯微鏡結合自研算法，對微弱熱信號進行定位分析，鎖定潛在缺陷 。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

Thermal EMMI 的成像效果與探測波段密切相關，不同材料的熱輻射峰值波長有所差異。** Thermal EMMI 系統支持多波段切換，可根據被測器件的結構和材料選擇比較好波長，實現更高的信噪比和更清晰的缺陷成像。例如，硅基器件在近紅外波段（約 1.1 微米）具有較高透過率，適合穿透檢測；而化合物半導體（如 GaN、SiC）則需要在中紅外或長波紅外波段下進行觀測。通過靈活的波段適配，Thermal EMMI 能夠覆蓋更***的器件類型，從消費電子到汽車電子，再到功率半導體，均可提供穩定、精細的檢測結果。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話